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        減薄、晶圓切割、挑粒

        • 產(chǎn)品介紹

          研磨/減薄
          • 支持:Si,GaAs,GaN,InP,玻璃,藍寶石,陶瓷等
          • 均勻性:±2um
          • 減薄厚度:≥100um
           
          拋光
          • 支持:Si,GaAs,GaN,InP,玻璃,藍寶石,陶瓷等
          • 表面粗糙度:1-50nm

          激光切割
          • 支持:Si基MEMS產(chǎn)品 
          • 樣品厚度:100-700μm  
          • 切割寬度:≤10μm
          • 樣品尺寸:8寸(向下兼容)

          刀片晶圓切割 
          • 支持:Si,Ge,玻璃,石英,陶瓷,電路板(8英寸卡盤(pán),不同材料選用不同刀片) 
          • 切割道寬度:≥50um

          挑粒
          • 處理尺寸:6、8寸原材料,可挑取最小150um的芯片
          • 選件:提供背面、邊緣檢查選件,芯片翻轉選件
          • UPH:700~1200,取決于產(chǎn)品

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